根据韩媒ZDNetKorea的最新报道，三星公司目前在12nm制程的DRAM内存生产上仍面临着较大的挑战，其良率仍未能达到行业的标准，甚至不足50%。这一数据远低于业界通常设定的80%至90%的目标，迫使三星在上个月成立了一个专门的小组来解决这一问题，力图尽快提高生产良率。
据了解，三星电子于2023年5月宣布启动16Gb版12nm级DDR5内存的量产，并在9月时宣告12nm级32GbDDR5内存开发成功。这款32Gb内存颗粒的推出，标志着三星在高密度内存领域的技术进步。相比传统的3DSDIMM内存，三星这款不依赖TSV工艺的常规内存条能够提供更低的功耗，减少约10%的能耗，并且生产成本也显著降低，这使得它成为三星未来内存产品的重要组成部分。
三星在12nm制程的32GbDDR5内存颗粒上寄予厚望，计划将其作为未来产品的主力，以应对市场的需求增长。为了加速该产品的生产进程，三星已决定大幅提升12nm级DRAM的产量，计划在华城15号和平泽P2两个晶圆厂中推进生产。平泽P2晶圆厂目前主要生产1znm内存，将进行技术升级以适应新的生产需求。
目前，三星的12nm级DRAM月产量已达到约4万片晶圆，计划在今年三季度扩展至7万片，并在四季度进一步提升至10万片，到明年，三星预计将把每月的产量提升到20万片晶圆。通过这些措施，三星希望在未来的内存市场中占据更大的份额。