碳化硅（SiC），作为第三代宽禁带半导体材料的杰出代表，拥有诸多显著优点，包括高热导率、高临界击穿电压（耐高压特性）以及高饱和漂移速度（快速开关响应）。这些特质使其在高温、高功率、高压、高频的应用场景中大放异彩。
关于SiC功率器件的整个生产流程，可简要概述如下:
SiC单晶生长是整个生产过程的基础环节。在此阶段，高纯度的硅粉和碳粉在高温熔炉中熔合，进而形成SiC晶体。
接下来是衬造环节。经过精确的切磨抛等工艺流程，SiC晶体被加工成薄片，即单晶薄片（低Rdson），也就是我们常说的SiC衬底材料，其厚度精确控制为350微米。
而后进入外延生长环节。利用气相沉积法，在SiC晶片上生长一层薄膜晶体，其厚度在5-30微米之间，从而形成SiC外延。
紧接着是晶圆加工阶段。通过光刻、沉积、离子注入和金属钝化等一系列前端工艺处理后，形成碳化硅晶圆。经过后段的磨削、切割以及倒装工艺等处理后，可以制成的碳化硅芯片。
之后是器件封装与测试环节。完成电气连接及外壳保护后，便可以制成分立器件或功率模块，随后进行严格的质量与性能测试。
整个SiC产品从原材料到最终应用的流程相当复杂且耗时。以SiC功率器件为例，从单晶生长到形成衬底大约需要一个月的时间，而从外延生长到晶圆加工完成则需要6至12个月。从器件制造到实际装车验证更是需要1至2年的时间。对于SiC功率器件的IDM厂商而言，从产品设计到实际应用并转化为收入增长的周期相当漫长，特别是在汽车行业中，通常需要4至5年的时间。