硅片成形工艺，即将硅棒精细打造成si晶片的过程。其核心步骤包括切片、结晶定位、晶边圆磨、化学刻蚀、缺陷处理及清洗等环节，紧密相连。此工艺旨在提升硅棒的使用率，最大程度地减少硅材料浪费，同时确保制造出具有高平行度、高平坦度以及洁净表面的晶片，以保持其内部材料与表面晶体学、化学及电学特性的一致性。值得注意的是，在晶片成形过程中，会出现一些微观缺陷。
硅片有单晶硅与多晶硅之分，而其制备则涵盖单晶硅与多晶硅的生产及加工技术。关于硅片加工流程，各生产商或许有所不同，但接下来我们将着重介绍其中几个核心步骤。
(一) 单晶硅片加工工艺主要包括：
1. 切断：在晶体生长完成后，沿垂直于生长方向去除无用的部分，通常利用外圆切割机进行操作，其刀片边缘为金刚石涂层，虽速度快、操作便捷，但可能存在材料浪费及硅片表面损伤的问题。
2. 外径滚圆：针对直拉单晶硅因热振动等造成的非完全平滑表面，需进行滚圆处理以统一硅棒直径。
3. 切片及后续处理：切片时对硅片的晶向、平行度和翘曲度要求不高，关键在于控制厚度。切片后还需进行倒角、研磨及腐蚀、清洗等步骤，以消除线痕、机械损伤层及表面杂质。
(二) 多晶硅片加工工艺主要包括：
1. 开方：对方形晶体硅锭进行切块处理，以得到特定尺寸的长方形硅块。
2. 磨面与倒角：研磨开方所造成的锯痕及表面损伤层，并倒掉硅块边角的锐利部分，以防止边缘破裂及晶格缺陷。
3. 后续流程与单晶硅相似，包括切片、腐蚀及清洗等步骤。
采用线切割机切割硅片具有多项优势。它不仅提高了切割效率、降低了单片成本和耗材成本，还确保了切割品质和受控的硅耗。线切割机在切割各类新兴材料如单晶硅、多晶硅、光学玻璃等方面表现出色，其精密度也远超传统泥浆切割方式。在当今注重环保的时代，线切割机也有助于减少工厂的污水排放和处理压力。