据IT之家的消息，吉利科技集团旗下的浙江晶能微电子公司最近取得了重大突破。该公司自主设计研发的首款车规级IGBT产品已经成功流片，各项参数均达到了预期的设计要求。
晶能公司自主研发的IGBT流片晶圆技术再次展现了其强大的研发实力。
这款IGBT芯片采用了创新的第七代微沟槽栅和场截止技术。通过优化表面结构和FS结构，该芯片不仅具备了出色的短路耐受能力，还实现了更低的导通/开关损耗。其功率密度增大约了35%，综合性能指标已达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂的深度合作，以工艺共创的方式，使得芯片性能得到了持续提升。
晶能公司指出，在一辆典型的新能源汽车中，芯片的用量超过1200颗，而功率半导体占的比例接近四分之一。这表明了功率半导体在新能源汽车中的重要性。公司将继续围绕动力总成系统的开发需求，不断研制出性能优越的芯片和模块产品。
晶能自主研发的IGBT HP Drive模块再次证明了公司的技术实力。
IGBT作为现代电力电子中的核心器件，被誉为电力电子行业里的“大脑”。近期，行业内的开发者们也开始探讨将Si IGBT和SiC MOS封装在一起，形成混合并联模块的解决方案。预计未来，功率芯片和模块的创新应用场景将会更加丰富。
晶能微电子作为吉利科技集团孵化的功率半导体公司，专注于Si IGBT&SiC MOS的研制与创新。公司充分发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等行业客户提供高性能的产品和服务。
关于IGBT的详细解释：
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它由T（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成，兼具了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR的饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；而MOSFET的驱动功率很小，开关速度快。IGBT综合了二者的优点，使得驱动功率小且饱和压降低，非常适合应用于直流电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源等。
作为能源变换与传输的核心器件，IGBT被誉为电力电子装置的“大脑”。在战略性新兴产业中，IGBT在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域有着广泛的应用。
IGBT模块是通过特定的电路桥接封装将IGBT芯片与FWD续流二极管芯片封装在一起的模块化半导体产品。封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点，是市场上常见的模块化产品。
随着节能环保等理念的推进，IGBT模块在市场上的应用将会越来越多。