当前时期，全球的闪存生产厂商正纷纷迈向3D NAND技术的前沿。在技术演进的浪潮中，我们也曾对Intel的3D NAND技术进行了深入的探讨。特别值得关注的是，就在不久前的5月14日，Intel与Richmax联手举办了一场关于3D NAND技术详解的研讨会，深入揭示了Intel 3D NAND技术的最新计划和关键技术细节。
3D NAND技术的优势在于其能够提供比现有闪存更大的存储空间，其存储密度可达到现有技术的三倍以上，预计未来能够制造出高达10TB的2.5寸SSD。更重要的是，该技术拥有成本低廉的优点，且由于无需升级制程工艺和缩小cell单元以增加容量密度，使得产品的可靠性和性能得以显著提升。
值得一提的是，Intel在当前的2D NAND时代并未涉足TLC闪存领域。随着3D NAND时代的到来，Intel将推出自己的TLC闪存解决方案。令人欣喜的是，TLC与MLC实际上源于同一块芯片，这意味着Intel的客户可以根据自身需求灵活选择闪存的工作模式——MLC或TLC。在MLC模式下，每Die的容量为256Gb；而在TLC模式下，这一数值提升到384Gb。
目前，Intel的3D NAND技术采用32层堆叠设计，其电荷存储量与早年的50nm节点产品相当。第二代和第三代产品将继续保持这一电荷量标准，以确保产品的稳定性和可靠性。尽管会议上并未明确透露所使用的具体工艺，但已知的是这些工艺位于50nm至34nm之间。
特别值得注意的是，Intel为其3D NAND技术赋予了独特的代号——L06B/B0KB。其中，L06B作为MLC产品的代号，遵循ONFI 4.0标准，拥有32GB的Die Size和16k Page Size。虽然其2-plane设计会带来一定的延时，但它却提供了比常见的1-plane设计高出一倍的读写吞吐量。其闪存寿命高达3000 P/E。而B0KB作为TLC产品的代号，虽然与L06B有许多相似之处，但在容量、性能及寿命等方面均有显著差异。例如，其Die Size为48GB，且由于采用TLC技术，需要更高的LDPC ECC标准。
所有Intel 3D NAND产品都将采用132-Ball BGA封装。L06B的容量范围从256Gb（32GB）到4096Gb（512GB），具体细节可参考相关表格。值得一提的是，这款闪存的CE数是可以调整的，这为制造更大容量的SSD提供了更大的灵活性。
在闪存的工作模式方面，Intel提供了MLC和TLC两种模式的详细解释。MLC提供2-pass和1-pass两种编程模式。其中，2-pass模式为默认设置，它首先将lower page的数据写入NAND阵列，然后再写入upper page的数据。而1-pass模式则是一次性完成两项写入任务，虽能节省15%的编程时间，但可能会降低一定的闪存寿命。TLC的编程算法更为复杂，涉及多个步骤的写入和ECC校验。但无论是MLC还是TLC的工作模式，都可以根据实际需求通过指令进行切换，这使得闪存的使用变得极为灵活。
至于Intel 3D NAND的上市时间表，今年第三季度中旬将开始向合作伙伴提供测试样品，包括MLC和TLC两种产品。预计在2015年第四季度末开始大规模供货，产品定价将根据当时的市场情况进行确定。