扩散现象
当一滴红墨水轻轻触及纯净的水面，随着时间的流转，色彩在水分子间悄然传递，如同无声的诗篇在水中铺陈开来。这一过程在半导体工业中也有着巧妙的应用。在硅芯片这一极其纯净的载体上，通过预置或离子植入的方式，设置了一个扩散源，就如同那滴红墨水在水中散开的景象。尽管固态扩散的速度远不如液体快速，但它却在高助推下，如同跨越岁月的马拉松，在短时间内完成了它的旅程。这种技术的魔法不仅缩短了生产周期，更提高了半导体的性能与品质，为科技世界的飞速发展提供了源源不断的动力。
扩散系数
扩散系数这一术语描绘了杂质在晶体内部穿梭的速度。这一速度并非孤立存在，而是与晶体环境中的各种因素息息相关。当温度升高时，杂质原子仿佛被注入了活力；而压强的增大和浓度的提升则为杂质原子提供了更多的相遇与碰撞的机会。
扩散炉
在半导体工业中，纯净的硅芯片上常常通过预置或离子植入的方式设置扩散源。为了加快固态扩散的过程，工程师们巧妙地将硅芯片放入高温炉管中。在这高环境中，原本缓慢的扩散过程得以大大加速，仿佛在短时间内完成了原本漫长的旅程。这样的高温炉管，就是人们的“扩散炉”。
去离子水（DI Water）
在IC制造的精细过程中，去离子水扮演着至关重要的角色。它被用来冲洗芯片表面，确保没有任何酸碱残留，为接下来的制造步骤做好准备。与日常饮用的自来水不同，去离子水经过一系列的净化过程，只留下了纯净的水分子。
施体（Donor）
为了赋予半导体更多的可能性，我们将那些能够给予半导体额外电子的杂质形象地称之为“施体”。以掺入特定元素为例，改变了半导体的电子分布。
掺杂（Dopant）
在半导造中，我们通过预置或离子植入的方法，主动改变半导体的电性能。例如，通过离子植入技术，将其他原子或离子掺入半导体中，以达到改变其电性能的目的。
杂质的赶入（Dopant Drive in）
离子植入后，为了达到对离子分布的要求并修复植入过程中产生的缺陷，我们通常将芯片送入高温环境中，让离子进行扩散。这种过程称为“杂质的赶入”。
掺杂源（Dopant Source）
在进行掺杂过程中，我们所使用的掺杂物质被称为掺杂源。例如，在Poly中掺入P的POCl3就是我们所说的掺杂源。
掺入杂质（Doping）
为了使组件正常运作，芯片必须掺入特定的杂质。常用的方法包括预置、离子植入等。这些方法使得杂质被驱入并扩散到芯片内部。
剂量（Dosage）
这是一个表示离子数量的参数。
DRAM与SRAM：动态与静态随机存取内存
随机存取记忆器大致分为动态与静态两类。动态随机存取内存（DRAM）的数据只在短暂时间内保持存在；而静态随机存取内存（SRAM）则能在没有重写的情况下保持数据。两者在记忆单元配置、密度、速度等方面各有特点。
DRAM以其高密度的配置在个人计算机等场合中广泛应用；而SRAM则以其高速的特性在工业控制、器等场合中发挥着重要作用。
汲极（Drain）与源极
通过掺杂使其电性与底材相反的极称为汲极与源极。
驱入（Drive In）
驱入是离子植入后的一种操作过程。通过高温环境下的原子扩散特性，将表面的杂质更深入地推入半导体内部。此过程并不增加半导体的杂质总量。